华虹宏力申请半导体器件及其制造方法专利，有效提升隔离环穿通电压的稳定性
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121357949A，申请日期为2025年9月。专利摘要...
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121357949A，申请日期为2025年9月。专利摘要...